相较于小晶粒，军亚西军大晶粒不只进步了研磨速率20%以上，还削减了薄膜中的晶界数量，明显增强了铜线的电搬迁可靠性。
该技能的中心流程包含薄膜堆积、空袭沟槽的光刻与蚀刻、通孔的光刻与蚀刻、阻挠层的堆积、种子层的铺设、铜的电镀以及化学机械抛光等要害环节。运用特定添加剂杂质可阻挠微缺点搬迁，叙利进步铜线的应力搬迁功能，但杂质增多会下降铜线的电子搬迁功能。
图8：北部刻蚀通孔(4)在填充BARC后，咱们堆积了低温氧化硅（LTO）层，该层作为后续蚀刻的硬掩模，如图9所示。ALD以其杰出的保形性和填洞才能著称，事设施可以完结侧壁的完美掩盖，事设施并能构成极薄（约10Å）且接连性好的薄膜，有助于增大铜线的有用截面积并下降电阻。可是，军亚西军在通孔光刻进程中，PR会填充到沟槽中，导致PR层变厚，然后添加了曝光与显影的难度。
此刻，空袭沟通偏压被用来驱动Ar离子对晶圆上已堆积的Ta进行刻蚀/溅射，而直流线圈则持续供给Ta源，以避免通孔和沟道的边角被过度刻蚀。鉴于铜的高度活性及其易于在介电资猜中分散的特性，叙利特别是在选用低介电常数或超低介电常数资料时，叙利铜分散问题尤为严峻，传统的阻挠资料（比如Ti、TiN）已难以担任。
但跟着技能迭代，北部晶体管尺度持续减缩，电阻电容（RC）推迟已成为约束集成电路功能的要害因素。
留意作为金属阻挠层，事设施其通孔电阻亦需考量，但阻挠层资料往往具有较高的电阻率，对通孔电阻有明显影响。二是沟槽尺度存在扩张现象（见图14），军亚西军或许引发互连线间的桥接短路危险，然后无法满意更先进工艺节点的要求。
可是，空袭因为BARC的填充，后续沟槽蚀刻进程中通孔内或许残留BARC，这是先通孔技能的一个固有缺点。电镀铜工艺与低k介质具有杰出的工艺兼容性，叙利一般构成(111)方向的织构，有利于进步电导率。
图18：北部通孔光刻(5)经过通孔刻蚀并去除PR和BARC，得到包含沟槽与通孔的结构，如图19所示。钉（Ru）因其对铜具有更优异的黏附性，事设施被视为完结直接电镀的潜在候选资料。